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ES7P001、ES7P003等多款產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)更新

時(shí)間:2021-12-17 文章來(lái)源:EMSSMI 瀏覽次數(shù):3637

ES7P001等多款產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)更新

更新日期:2021年12月17日


序號(hào)

文檔名稱

版本

變更內(nèi)容

1

ES7P001_Datasheet_C

V1.6

1:修改芯片唯一識(shí)別碼的有效位;

2:更新封裝尺寸參數(shù);

3:更新公司地址。

2

ES7P003_Datasheet_C

V1.7

3

ES7P1391_Datasheet_C

V1.6

4

ES7H202x_Datasheet_C

V1.2

1. 更新產(chǎn)品訂購(gòu)信息表中ES7H2024UART數(shù)量;

2. 更新POD尺寸參數(shù);

3. 更新公司地址。

5

ES7P169C_Datasheet_C

V1.5

1. 更新BEEPC寄存器BEEPPRE<1:0>預(yù)分頻器分頻比的一檔,由768改為1024

2. 更新參數(shù)特性圖章節(jié)芯片IDLE模式電流隨電壓-溫度變化特性圖中的高溫部分功耗值;

3. 更新公司地址。

6

ES7P202x_Datasheet_C

V1.9

1. 完善附錄中的模擬小信號(hào)ADC offset特性表,ADC內(nèi)部參考電壓特性表,TK內(nèi)部參考電壓特性表;

2. 完善T1nTR,T2nTR寄存器位的描述;

3. 去掉CHIPPACK寄存器中關(guān)于不同封裝管腳數(shù)的描述;

4. 更新封裝尺寸參數(shù);

5. 更新公司地址。

7

ES7P295x_Datasheet_C

V1.6

1. 在寄存器表格下方添加了中斷使能位GIE/GIEL位的清零和置1操作備注說(shuō)明;

2. ADC概述章節(jié),添加VDD/4電源分壓比精度為±1.5%;
3
. 完善附錄中的模擬小信號(hào)ADC offset特性表,ADC內(nèi)部參考電壓特性表;

4. 添加PC0端口的弱上拉使能控制方式的描述;

5. 增強(qiáng)IO端口灌電流和拉電流參數(shù)特性表格描述;

6. 更新統(tǒng)時(shí)鐘后分頻比選擇位POSDIVS<2:0>的復(fù)位默認(rèn)值為000;

7. 增強(qiáng)關(guān)于使用T10作為IAP頁(yè)擦除和編程超時(shí)計(jì)數(shù)器的具體用法描述;

8. 補(bǔ)充描述I2CRST所軟件復(fù)位的寄存器和控制位,修改I2CRB寄存器為只讀屬性;

9. 更新T1n/T2n的定時(shí)器模式和計(jì)數(shù)器模式時(shí)序圖對(duì)T2n的外部計(jì)數(shù)時(shí)鐘邊沿進(jìn)行補(bǔ)充描述,完善T1nTRT2nTR寄存器位的描述;

10. 更新封裝尺寸參數(shù);

11. 更新公司地址。

8

ES7P0693_Datasheet_C

V1.2

1. 更新BEEPC寄存器BEEPPRE<1:0>預(yù)分頻器分頻比的一檔,由768改為1024

2. 更新參數(shù)特性圖章節(jié)芯片IDLE模式電流隨電壓-溫度變化特性圖中的高溫部分功耗值;

3. 更新公司地址。

9

ES7P2032_Datasheet_C

V1.6

1. 產(chǎn)品訂購(gòu)信息表標(biāo)注部分停產(chǎn)料號(hào)說(shuō)明;

2. 公司地址變更。

3.更新封裝尺寸參數(shù)。

10

ES8H69x_Datasheet_C

V1.1

1. 增強(qiáng)芯片配置字章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述,完善芯片配置字章節(jié)的描述;

2. 管腳對(duì)照表下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述;

3. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注;

4. 更新“參數(shù)特性表”章節(jié)中的芯片上電和下電工作條件表格描述;

5. 更新SCU_WAKEUPTIME寄存器關(guān)于喚醒時(shí)間控制位的備注信息。

6. 更新封裝尺寸參數(shù);

7. 更新公司地址。

11

ES8H508x_Datasheet_C

V1.1

1. ES8H5088FLLK LQFP32設(shè)置ADC負(fù)參考必須使用外部IO模式(PA9

2. 增強(qiáng)芯片配置字章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述,完善芯片配置字章節(jié)的描述;

3. 管腳對(duì)照表下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述;

4. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注;

5. 更新封裝尺寸參數(shù)

6. 更新參數(shù)特性表章節(jié)中的芯片上電和下電工作條件表格描述;

7. 更新SCU_WAKEUPTIME寄存器關(guān)于喚醒時(shí)間控制位的備注信息;

8. 更新公司地址。

12

ES8H564_Datasheet_C

V1.1

1. 增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述,完善芯片配置字章節(jié)的描述;

2. 在“管腳對(duì)照表”下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述;

3. 在“管腳分配圖”章節(jié),添加對(duì)未使用和未封裝管腳的設(shè)置說(shuō)明;

4. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注;

5. 更新封裝尺寸參數(shù);

6. 更新公司地址。

13

ES8H636_Datasheet_C

V1.1

1. 增強(qiáng)芯片配置字章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述,完善芯片配置字章節(jié)的描述;

2. 在“管腳對(duì)照表”下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述;

3. 管腳分配圖章節(jié),添加對(duì)未使用和未封裝管腳的設(shè)置說(shuō)明;

4. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注;

5. 更新封裝尺寸參數(shù);

6. 更新公司地址。

14

ES8P508x_Datasheet_C

V1.6

1. 增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述;

2. 在“管腳對(duì)照表”下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述;

3. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注;

4. 更新封裝尺寸參數(shù);

5. 更新“參數(shù)特性表”章節(jié)中的芯片上電和下電工作條件表格描述;

6. 更新SCU_WAKEUPTIME寄存器關(guān)于喚醒時(shí)間控制位的備注信息;

7. 更新公司地址。

15

HR7P90H_90J_91H_91J_92H_92J_Datasheet_C

V1.8

1. 訂購(gòu)信息表中增加停產(chǎn)料號(hào)標(biāo)注。

2. 變更公司地址。

16

HR7P153_Datasheet_C

V1.9

1. 增加SOP8MSOP8的相關(guān)內(nèi)容;

2. 更新公司地址。

17

HR7P154_Datasheet_C

V1.4

1. 更新封裝尺寸參數(shù);

2. 更新公司地址。

18

HR7P159B_Datasheet_C

V1.9

1. 更新封裝尺寸參數(shù);

2. 更新公司地址。

19

HR7P159BE2SA_Datasheet_C

V1.4

1. 更新封裝尺寸參數(shù);

2. 更新公司地址。

20

HR7P169_Datasheet_C

V1.13

1. 在硬件乘法器章節(jié),添加在使用硬件乘法器之前,需先關(guān)閉全局中斷使能的描述;

2. 更新芯片封裝圖的尺寸參數(shù);

3. 更新公司地址。

21

HR7P169B_Datasheet_C

V1.15

1.更新封裝尺寸參數(shù);

2. 更新公司地址。

22

HR7P193_194_Datasheet_C

V1.10

更新公司地址。

23

HR7P275_Datasheet_C

V1.11

1. 更新封裝尺寸參數(shù);

2. 更新公司地址。

24

HR8P506_Datasheet_C

V1.11

1. 更新IO端口VDD=2.5V條件下的輸出特性曲線,更新功耗參數(shù)表中關(guān)于ADC模塊和VREF模塊的功耗參數(shù),添加芯片結(jié)溫的描述,增強(qiáng)IO端口灌電流和拉電流參數(shù)特性表格描述;

2. 在管腳分配圖章節(jié)和LCDC特殊功能寄存器章節(jié),添加對(duì)未封裝管腳和未用作LCD段驅(qū)動(dòng)的管腳的使用注意事項(xiàng);

3. 修改BOR模塊特性表中的最低檔位的電壓范圍上限為2.38V

4. 管腳分配圖和管腳對(duì)照表小節(jié),添加PA13/MOSI0管腳復(fù)用為SPI0功能的使用注意事項(xiàng);在“管腳對(duì)照表”小節(jié),對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述;在“管腳分配圖”章節(jié),增強(qiáng)對(duì)未使用和未封裝引出管腳的設(shè)置說(shuō)明;

5. 在芯片配置字章節(jié),添加將外部XTAL時(shí)鐘作為系統(tǒng)時(shí)鐘的設(shè)置方式備注說(shuō)明;增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述;完善芯片配置字章節(jié)的描述。

6. 增強(qiáng)“ADC自動(dòng)轉(zhuǎn)換比較功能”章節(jié)的描述內(nèi)容;

7. 完善T16NT32N、UART模塊章節(jié)的描述;

8. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注;

9. 更新封裝尺寸參數(shù);

10. 更新公司地址。

25

HR7P201_Datasheet_C

V1.14

更新公司地址。

26

HR7P195_Datasheet_C

V1.8

更新公司地址。

27

HW3181_Datasheet_C

V1.5

更新公司地址。

28

HW2173_Datasheet_C

V1.1

更新公司地址。

29

HW2171B_Datasheet_C

V1.4

更新公司地址。

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