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以集成電路設(shè)計(jì)為基礎(chǔ),開展以融合通信為平臺(tái)的技術(shù)研發(fā);布局“芯片、軟件(模組)、終端、系統(tǒng)、信息服務(wù)”產(chǎn)業(yè)鏈,聚焦能源互聯(lián)網(wǎng)、智能化這兩個(gè)戰(zhàn)略新興領(lǐng)域,打造國(guó)際一流企業(yè)
依托成熟的電力線載波通信技術(shù),結(jié)合WIFI、藍(lán)牙、RF等通訊方式,開展以融合通信為平臺(tái)的技術(shù)研發(fā),從“芯”開始,構(gòu)建一個(gè)安全、智慧、綠色的智能化系統(tǒng)。
ES7P001等多款產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)更新
更新日期:2021年12月17日
序號(hào) |
文檔名稱 |
版本 |
變更內(nèi)容 |
1 |
ES7P001_Datasheet_C |
V1.6 |
1:修改芯片唯一識(shí)別碼的有效位; 2:更新封裝尺寸參數(shù); 3:更新公司地址。 |
2 |
ES7P003_Datasheet_C |
V1.7 |
|
3 |
ES7P1391_Datasheet_C |
V1.6 |
|
4 |
ES7H202x_Datasheet_C |
V1.2 |
1. 更新產(chǎn)品訂購(gòu)信息表中ES7H2024的UART數(shù)量; 2. 更新POD尺寸參數(shù); 3. 更新公司地址。 |
5 |
ES7P169C_Datasheet_C |
V1.5 |
1. 更新BEEPC寄存器BEEPPRE<1:0>預(yù)分頻器分頻比的一檔,由768改為1024; 2. 更新參數(shù)特性圖章節(jié)芯片IDLE模式電流隨電壓-溫度變化特性圖中的高溫部分功耗值; 3. 更新公司地址。 |
6 |
ES7P202x_Datasheet_C |
V1.9 |
1. 完善附錄中的模擬小信號(hào)ADC offset特性表,ADC內(nèi)部參考電壓特性表,TK內(nèi)部參考電壓特性表; 2. 完善T1nTR,T2nTR寄存器位的描述; 3. 去掉CHIPPACK寄存器中關(guān)于不同封裝管腳數(shù)的描述; 4. 更新封裝尺寸參數(shù); 5. 更新公司地址。 |
7 |
ES7P295x_Datasheet_C |
V1.6 |
1. 在寄存器表格下方添加了中斷使能位GIE/GIEL位的清零和置1操作備注說(shuō)明; 2.
在ADC概述章節(jié),添加VDD/4電源分壓比精度為±1.5%; 4. 添加PC0端口的弱上拉使能控制方式的描述; 5. 增強(qiáng)IO端口灌電流和拉電流參數(shù)特性表格描述; 6. 更新統(tǒng)時(shí)鐘后分頻比選擇位POSDIVS<2:0>的復(fù)位默認(rèn)值為000; 7. 增強(qiáng)關(guān)于使用T10作為IAP頁(yè)擦除和編程超時(shí)計(jì)數(shù)器的具體用法描述; 8. 補(bǔ)充描述I2CRST所軟件復(fù)位的寄存器和控制位,修改I2CRB寄存器為只讀屬性; 9. 更新T1n/T2n的定時(shí)器模式和計(jì)數(shù)器模式時(shí)序圖,對(duì)T2n的外部計(jì)數(shù)時(shí)鐘邊沿進(jìn)行補(bǔ)充描述,完善T1nTR,T2nTR寄存器位的描述; 10. 更新封裝尺寸參數(shù); 11. 更新公司地址。 |
8 |
ES7P0693_Datasheet_C |
V1.2 |
1. 更新BEEPC寄存器BEEPPRE<1:0>預(yù)分頻器分頻比的一檔,由768改為1024; 2. 更新參數(shù)特性圖章節(jié)芯片IDLE模式電流隨電壓-溫度變化特性圖中的高溫部分功耗值; 3. 更新公司地址。 |
9 |
ES7P2032_Datasheet_C |
V1.6 |
1. 產(chǎn)品訂購(gòu)信息表標(biāo)注部分停產(chǎn)料號(hào)說(shuō)明; 2. 公司地址變更。 3.更新封裝尺寸參數(shù)。 |
10 |
ES8H69x_Datasheet_C |
V1.1 |
1. 增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述,完善芯片配置字章節(jié)的描述; 2. 在“管腳對(duì)照表”下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述; 3. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注; 4. 更新“參數(shù)特性表”章節(jié)中的芯片上電和下電工作條件表格描述; 5. 更新SCU_WAKEUPTIME寄存器關(guān)于喚醒時(shí)間控制位的備注信息。 6. 更新封裝尺寸參數(shù); 7. 更新公司地址。 |
11 |
ES8H508x_Datasheet_C |
V1.1 |
1. ES8H5088FLLK LQFP32設(shè)置ADC負(fù)參考必須使用外部IO模式(PA9); 2. 增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述,完善芯片配置字章節(jié)的描述; 3. 在“管腳對(duì)照表”下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述; 4. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注; 5. 更新封裝尺寸參數(shù); 6. 更新“參數(shù)特性表”章節(jié)中的芯片上電和下電工作條件表格描述; 7. 更新SCU_WAKEUPTIME寄存器關(guān)于喚醒時(shí)間控制位的備注信息; 8. 更新公司地址。 |
12 |
ES8H564_Datasheet_C |
V1.1 |
1. 增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述,完善芯片配置字章節(jié)的描述; 2. 在“管腳對(duì)照表”下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述; 3. 在“管腳分配圖”章節(jié),添加對(duì)未使用和未封裝管腳的設(shè)置說(shuō)明; 4. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注; 5. 更新封裝尺寸參數(shù); 6. 更新公司地址。 |
13 |
ES8H636_Datasheet_C |
V1.1 |
1. 增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述,完善芯片配置字章節(jié)的描述; 2. 在“管腳對(duì)照表”下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述; 3. 在“管腳分配圖”章節(jié),添加對(duì)未使用和未封裝管腳的設(shè)置說(shuō)明; 4. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注; 5. 更新封裝尺寸參數(shù); 6. 更新公司地址。 |
14 |
ES8P508x_Datasheet_C |
V1.6 |
1. 增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述; 2. 在“管腳對(duì)照表”下方添加備注信息,對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述; 3. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注; 4. 更新封裝尺寸參數(shù); 5. 更新“參數(shù)特性表”章節(jié)中的芯片上電和下電工作條件表格描述; 6. 更新SCU_WAKEUPTIME寄存器關(guān)于喚醒時(shí)間控制位的備注信息; 7. 更新公司地址。 |
15 |
HR7P90H_90J_91H_91J_92H_92J_Datasheet_C |
V1.8 |
1. 訂購(gòu)信息表中增加停產(chǎn)料號(hào)標(biāo)注。 2. 變更公司地址。 |
16 |
HR7P153_Datasheet_C |
V1.9 |
1. 增加SOP8和MSOP8的相關(guān)內(nèi)容; 2. 更新公司地址。 |
17 |
HR7P154_Datasheet_C |
V1.4 |
1. 更新封裝尺寸參數(shù); 2. 更新公司地址。 |
18 |
HR7P159B_Datasheet_C |
V1.9 |
1. 更新封裝尺寸參數(shù); 2. 更新公司地址。 |
19 |
HR7P159BE2SA_Datasheet_C |
V1.4 |
1. 更新封裝尺寸參數(shù); 2. 更新公司地址。 |
20 |
HR7P169_Datasheet_C |
V1.13 |
1. 在硬件乘法器章節(jié),添加在使用硬件乘法器之前,需先關(guān)閉全局中斷使能的描述; 2. 更新芯片封裝圖的尺寸參數(shù); 3. 更新公司地址。 |
21 |
HR7P169B_Datasheet_C |
V1.15 |
1.更新封裝尺寸參數(shù); 2. 更新公司地址。 |
22 |
HR7P193_194_Datasheet_C |
V1.10 |
更新公司地址。 |
23 |
HR7P275_Datasheet_C |
V1.11 |
1. 更新封裝尺寸參數(shù); 2. 更新公司地址。 |
24 |
HR8P506_Datasheet_C |
V1.11 |
1. 更新IO端口VDD=2.5V條件下的輸出特性曲線,更新功耗參數(shù)表中關(guān)于ADC模塊和VREF模塊的功耗參數(shù),添加芯片結(jié)溫的描述,增強(qiáng)IO端口灌電流和拉電流參數(shù)特性表格描述; 2. 在管腳分配圖章節(jié)和LCDC特殊功能寄存器章節(jié),添加對(duì)未封裝管腳和未用作LCD段驅(qū)動(dòng)的管腳的使用注意事項(xiàng); 3. 修改BOR模塊特性表中的最低檔位的電壓范圍上限為2.38V; 4. 管腳分配圖和管腳對(duì)照表小節(jié),添加PA13/MOSI0管腳復(fù)用為SPI0功能的使用注意事項(xiàng);在“管腳對(duì)照表”小節(jié),對(duì)IO端口復(fù)用為timer輸入輸出的功能進(jìn)行增強(qiáng)描述;在“管腳分配圖”章節(jié),增強(qiáng)對(duì)未使用和未封裝引出管腳的設(shè)置說(shuō)明; 5. 在芯片配置字章節(jié),添加將外部XTAL時(shí)鐘作為系統(tǒng)時(shí)鐘的設(shè)置方式備注說(shuō)明;增強(qiáng)“芯片配置字”章節(jié)中對(duì)CFG_DEBUG位的描述;完善芯片配置字章節(jié)的描述。 6. 增強(qiáng)“ADC自動(dòng)轉(zhuǎn)換比較功能”章節(jié)的描述內(nèi)容; 7. 完善T16N、T32N、UART模塊章節(jié)的描述; 8. 添加不建議通過(guò)IAP操作FLASH INFO區(qū)的備注; 9. 更新封裝尺寸參數(shù); 10. 更新公司地址。 |
25 |
HR7P201_Datasheet_C |
V1.14 |
更新公司地址。 |
26 |
HR7P195_Datasheet_C |
V1.8 |
更新公司地址。 |
27 |
HW3181_Datasheet_C |
V1.5 |
更新公司地址。 |
28 |
HW2173_Datasheet_C |
V1.1 |
更新公司地址。 |
29 |
HW2171B_Datasheet_C |
V1.4 |
更新公司地址。 |
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