變更項(xiàng)目：多款產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊版本更新

ES7P001_Datasheet_C V1.2
ES7P003_Datasheet_C V1.2
1. 更正PBPD寄存器名稱為PB端口弱下拉控制寄存器；
2. 電氣特性中增加ESD CDM測試等級；
3. T21模塊PWM輸出0的實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行補(bǔ)充說明；
4. 添加芯片上電和下電工作條件表；
5. IAP操作和中斷時(shí)，增加了對中斷使能位GIE和GIEL操作的補(bǔ)充說明；
6. 增加了封裝尺寸的補(bǔ)充說明；
7. 變更Logo。


ES7P1391_Datasheet_C V1.1
1. 添加芯片上電和下電工作條件表；
2. IAP操作和中斷時(shí)，增加了對中斷使能位GIE和GIEL操作的補(bǔ)充說明；
3. 更新IAP操作例程；
4. 新增RXIF、TXIF軟件清零說明；
5. 新增封裝尺寸誤差說明。


HR7P170_Datasheet_C V1.10
HR7P153_Datasheet_C V1.8
HR7P154_Datasheet_C V1.3
HR7P201_Datasheet_C V1.11
HR7P179A_Datasheet_C V1.5
HR7P179_Datasheet_C V1.6
ES7P1793_Datasheet_C V1.6
HR7P169B_Datasheet_C V1.12
HR7P169_Datasheet_C V1.12
1. 添加芯片上電和下電工作條件表；
2. 增加IAP操作和中斷時(shí)，使能位GIE的補(bǔ)充說明；
3. 增加了封裝尺寸的補(bǔ)充說明；
4. 變更Logo。


HR7P155_Datasheet_C V1.10
HR7P156_Datasheet_C V1.10
HR7P167_Datasheet_C V1.10
1. 增加使能位GIE的補(bǔ)充說明；
2. 增加了封裝尺寸的補(bǔ)充說明；
3. 變更Logo。


HR7P159B_Datasheet_C V1.7
HR7P159BE2SA_Datasheet_C V1.2
1. 添加芯片上電和下電工作條件表；
2. 增加使能位GIE的補(bǔ)充說明；
3. 增加了封裝尺寸的補(bǔ)充說明；
4. 變更Logo。


HR7P275_Datasheet_C V1.10
1. 添加芯片上電和下電工作條件表；
2. IAP操作和中斷時(shí)，增加了對中斷使能位GIE和GIEL操作的補(bǔ)充說明；
3. 變更Logo。


HR7P171_Datasheet_C V2.7
HR7P192_196_Datasheet_C V1.4
HR7P193_194_Datasheet_C V1.9
HR7P195_Datasheet_C V1.7
1. 增加了對中斷使能位GIE_GIEH和PEIE_GIEL寫操作的補(bǔ)充說明
2. 變更Logo。
 

ESEM16_Datasheet_C V1.2
HRT6020_Datasheet_C V1.2
HR7P9x_Datasheet_C V1.7
1. 變更Logo。


HW2171B_Datasheet_C V1.1
1. 增加IAP操作和中斷時(shí)，使能位GIE的補(bǔ)充說明；
2. RF寄存器列表新增PKG_RSSI寄存器說明；
3. 變更Logo。


變更時(shí)間：2019年4月3日