變更項目：多款8位、32位產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊批量更新 

ES7P001/003：

1、第3章增加芯片唯一識別碼相關(guān)內(nèi)容；
2、附錄3.1中增加芯片ESD特性參數(shù)表；
3、增加T21多功能復(fù)用輸出端口說明等。
 
HR7P169B：
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
2、 增強(qiáng)對SFR寄存器中的僅供測試用控制位的描述，禁止用戶設(shè)置；
3、 加強(qiáng)對運(yùn)放應(yīng)用參考電路的描述，添加放大倍數(shù)對offset影響的描述。
 
ES7P179x/ HR7P179/ HR7P179A：
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
2、 增強(qiáng)對SFR寄存器中的僅供測試用控制位的描述，禁止用戶設(shè)置。
 
ES7P202x/ES7P295x/HR7P169/HR7P201：
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
2、添加Flash存儲器支持至少10萬次擦寫次數(shù)，10年以上的數(shù)據(jù)保持時間。
 
HR7P153：

1、電氣特性部分新增芯片ESD特性。

ES8P508x：
1、 更新T16Nx的剎車信號標(biāo)志位處理方式；
2、更新了IWDT的重載LOAD寄存器默認(rèn)值；
3、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
4、增加ADC使用內(nèi)部正參考電壓相關(guān)內(nèi)容。
 
HR8P506：
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
2、修改“系統(tǒng)時鐘電路結(jié)構(gòu)框圖”，WDT模塊添加PCLK時鐘源，添加SPI，I2C外設(shè)模塊；
3、 刪除了管腳圖備注中對PA6管腳作為輸出使用的推薦描述；
4、 修改BOR最低檔位的電壓范圍上限為2.3V；
5、更新ADC小信號offset參數(shù)；
6、 刪除SWD調(diào)試時，不能使用外部參考VREFP的描述；

7、 在“深度睡眠模式”章節(jié)，添加進(jìn)睡眠模式前清所有中斷掛起標(biāo)志位的備注，在深睡眠功耗特性圖中添加功耗單位。