變更日期：2022年5月23日

變更內(nèi)容：

ES32H040x_Datasheet_C V1.1

1.修改 IO 數(shù)量

2.修改復(fù)位和電源管理模塊電氣參數(shù)

3.增加 LPRUN 模式下電流特性

4.修改 SHUTOFF 模式功耗

5.增加外部振蕩器約束條件

6.修改外部低速振蕩時鐘特性

7.修改 I/O 端口電氣特性

8.修改模擬比較器特性參數(shù)

9.增加 TK 工作電壓范圍

ES32H040x_Reference_Manual_C V1.1

1.芯片配置指引模塊中，修改外設(shè)時鐘源對應(yīng)關(guān)系描述錯誤

2.TKS 模塊中，修改觸摸按鍵數(shù)量

3.TKS 模塊中，修改電容充放電描述錯誤

4.GP16C4T 模塊中，修改遞增計數(shù)模式和遞減計數(shù)模式描述錯誤

5.GP16C4T 模塊中，修改正文寄存器名稱與寄存器列表不對應(yīng)錯誤

6.GP16C4T 模塊中，修改圖 19-4 中 TSSEL 輸入描述，圖 19-22 中計數(shù)寄存器值描述錯誤

7.GP16C2T 模塊中，修改剎車功能描述錯誤

8.GP16C2T 模塊中，修改圖 20-19 中計數(shù)寄存器值描述錯誤

9.GP16C2T 模塊中，修改 CC1EN 位描述錯誤

10.USART 模塊中，修改 TXEMPIE 位描述錯誤

11.LPUART 模塊中，修改 CLKDIV 位描述錯誤

12.ADC 模塊中，增加內(nèi)部溫感描述

13.ADC 模塊中，修改 AWDCH、ADCH_PBUF_EN、ADCH_NBUF_EN 位描述錯誤